摘要: 为了解决这一问题，2012—2016 年期间我们经过一系列的样品制备条件摸索和优化，克服了以往YIG只能通过分子束外延或者脉冲激光沉积在GGG衬底上外延制备的限制，采用可用于大规模工业生产的磁控溅射技术在Si—SiO2衬底上开发出了基于磁性绝缘体YIG的磁子自旋器件，其核心单元为Pt/YIG/Pt 三明治结构，并在该结构中观测到了由亚利桑那大学张曙丰教授团队理论预测的磁子拖拽效应。通过Pt 中电流产生的自旋霍尔效应来激发YIG 中的磁子流，YIG 中的磁子流传递到另一Pt 层中，进而通过其中的逆自旋霍尔效应来进行探测，并且发现磁子流的大小受到YIG 磁矩方向的调制。这个研究进展实现了全电学方法的磁子自旋信息的激发与探测，证实了磁性绝缘体可以作为磁子流(Magnon Current)和磁子自旋信息的传输通道，并且可以通过YIG的磁矩来操控磁子自旋信息的开关状态，该项工作以快讯的方式发表在Physical Review B杂志上。