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Ga_(1-x)Al_xAs单异质结激光器的时间分辨光谱

  • 摘要: 一、引言研究注入式半导体激光器的光谱,可以深入了解p-n结中受激发光的特征,有利于改进器件性能,所以引起人们很大的重视[1,2].脉冲器件的光谱,将随注入电流的强度、发热以及环境温度而改变.使用寻常摄谱方法,其结果只是不断变化着的光谱的迭加,许多现象会被掩盖.为深入了解每一脉冲持续期内光谱的变化规律,必须记录时间分辨光谱.将被测脉冲光束在摄谱仪入射狭缝上作同步扫描,可以拍摄时间分辨光谱,而采?...

     

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