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使用定向偏角籽晶拉制无位错111硅单晶

  • 摘要: 半导体材料是制造半导体器件的基础,材料的质量直接影响器件的质量和可靠性.器件工艺要求提供超纯无缺陷的晶体.硅单晶中常见的并对器件性能影响较大的缺陷就是位错.因而硅单晶的拉制中很根本的一条,就是要求无位错.拉制无位错或低位错[111]硅单晶,现时普遍采用达什(W.C.Dash)早年阐明的正[111]晶向籽晶缩颈技术[1].我们研究和应用了向特定方向偏离一定角度的[111]定向偏角籽晶,配合适宜?...

     

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