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硅酸铋单晶的生长及其性能

  • 摘要: 一、引言在某些微声表面波器件里,希望有一种低声速的材料,同时要求它具有一定的压电性能,例如锗酸铋(Bi_12;GeO_20,简称BG)单晶就是这样的材料.能否获得这方面性能比锗酸铋更好的材料呢?这是我们关心的课题.我们在生长锗酸铋单晶的基础上,考虑到硅(Si)与锗(Ge)同是IVA族元素,都有+4价的氧化物,其离子半径相近(锗为0.55埃,硅为0.40埃),它们的配位数都具有4,6两种可能的数?...

     

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