摘要: 半导体材料硅中存在的原生晶体缺陷（如位错、层错、旋涡缺陷）及半导体硅器件加工工艺过程中的诱生晶体缺陷（如外延层错、热氧化杆状缺陷、扩散导致的缺陷）都会给器件带来有害的影响．为了揭示缺陷是如何影响材料的结构和器件的性能，人们必须设法观察缺陷的位错、形貌，并研究它们是如何引入和演变的．我们在６０ｋｗ旋转阳极Ｘ光机上，用Ｘ射线形貌技术［１］跟踪双极集成电路基本工艺──外延、氧化、扩散过程，观察晶体?...