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徐至中. MOS系统中钠离子的运动模型[J]. 物理, 1981, 10(3).
引用本文:
徐至中. MOS系统中钠离子的运动模型[J]. 物理, 1981, 10(3).
MOS系统中钠离子的运动模型
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一、引言为了解决半导体硅器件特别是MOS器件的稳定性问题,从六十年代中期开始,对MOS系统中由于可动离子沾污而引起的不稳定性问题,进行了大量的工作.研究结果表明,Na+,K+,Li+及F-等在二氧化硅层中都是可以移动的1,2].在实际半导体硅器件中沾污最严重,对器件特性影响最大的是Na+.为了进一步控制钠离子沾污对器件特性的影响,人们用不同的电学测量方法3]从各种不同角度对钠离子在氧化层中?...
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