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阻热法引上生长Nd:YAG时界面转换前后出现的组分过冷和位错增殖现象

  • 摘要: 一、引言众所周知,平坦界面有利于抑制小晶面(核心和侧心)和位错的形成,是获得无缺陷单晶的基本条件[1].但晶体中已存在的位错则会延伸到晶体下部去.而在凸界面情况下,位错会沿大致垂直生长界面的方向伸展,最后排除于表面[2,3].但凸界面本身容易产生核心和其它缺陷[1].为综合平、凸界面各自的优点,有人已用变转速办法得到了无核心无位错的GGG单晶(引晶放肩时用低转速凸界面排位锗,然后用高转速平界?...

     

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