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高纯砷化镓液相外延层内剩余杂质的光致发光研究

  • 摘要: 一、引言用外延技术生长GaAs薄层是制备GaAs微波器件和光电器件的最重要的工艺.要提高外延层的质量,就必须了解外延层内的剩余杂质,以便进一步降低剩余杂质,有效地控制晶体的特性.光致发光方法由于其灵敏度高、方法简便及非破坏性的检测,适合于研究薄膜和微区的特性.它是用于研究GaAs中杂质和缺陷的有效方法[1].我们采用光致发光法研究了高纯GaAs液相外延(LPE)(liquidphaseepi?...

     

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