摘要: 半导体硅薄膜在电子工业、太阳能的利用等方面都有重要应用．通常这种薄膜多是用化学汽相沉积（ＣＶＤ）的方法制备的．由于ＣＶＤ技术要对基底进行长时间的高温加热，这就不可避免地要出现杂质迁移和来自基片的自掺杂等缺点，在器件应用中难以获得理想的杂质分布．随着激光技术的广泛应用，近两年来已有人开始探讨用激光制取硅薄膜的可能性［１］．与此同时我们也进行了初步探讨．我们的实验装置如图１所示，采用连续波ＣＯ２?...