摘要: 正电子湮没技林（ＰＡＴ）在材料缺陷的研究中有着广泛的应用［１］．但它用于铁电陶瓷组分缺陷的研究则刚刚开始．Ｔｓｕｄａ［２，３］等研究了掺Ｇｄ的ＢａＴｉＯ３的正电子寿命谱，证明正电子对掺Ｇｄ所造成的Ｂａ空位是敏感的．本文报道Ｌａ，Ｍｎ复合置换的ＰｂＴｉＯ３铁电陶瓷的正电子寿命谱测量结果．样品配料分子式为（Ｐｈ－（１－１．５ｘ）其中表示Ｐｂ空位，ｘ值从１％到１０％．样品按陶瓷工艺制成２０×２０×1....