摘要: 非晶态半导体一个重要参数是它的迁移率禁带中的局域态密度．已经发展了多种隙态密度的测量方法，如场效应方法（ＦＥ）［１］、低频Ｃ－Ｖ法［２，３］、ＭＯＳ隧道测量［４，５］以及深能级瞬态谱法（ＤＬＴＳ）等．Ｃ－Ｖ法本是测量单晶半导体材料的有力工具．在非晶态半导体的肖特基势垒二极管的空间电荷区中，电势分布、空间电荷分布等要比单晶半导体复杂得多．已有一些文章作了研究井推导了由Ｃ－Ｖ曲线求态密度的公式［?...