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杜永昌, 李高斌, 黎宏志, 张玉峰. 用低频C-V法测量a-Si:H的隙态密度[J]. 物理, 1983, 12(11).
引用本文: 杜永昌, 李高斌, 黎宏志, 张玉峰. 用低频C-V法测量a-Si:H的隙态密度[J]. 物理, 1983, 12(11).
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用低频C-V法测量a-Si:H的隙态密度

    摘要
  • 摘要: 非晶态半导体一个重要参数是它的迁移率禁带中的局域态密度．已经发展了多种隙态密度的测量方法，如场效应方法（ＦＥ）［１］、低频Ｃ－Ｖ法［２，３］、ＭＯＳ隧道测量［４，５］以及深能级瞬态谱法（ＤＬＴＳ）等．Ｃ－Ｖ法本是测量单晶半导体材料的有力工具．在非晶态半导体的肖特基势垒二极管的空间电荷区中，电势分布、空间电荷分布等要比单晶半导体复杂得多．已有一些文章作了研究井推导了由Ｃ－Ｖ曲线求态密度的公式［?...

     

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