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辉光放电非晶态硅薄膜光、暗电导率特性的研究
李大中
,
宋学文
,
戴国才
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非晶态硅(a-Si)太阳能电池的研究,是近几年来世界上引人注目的一个重要课题.主要原因是a-si材料成本低,而且在用于制造太阳能电池时具有某些较好的性能,如在太阳光谱峰值附近,a-Si的光吸收系数比单晶硅高出近一个数量级.早在1976年,就有人制得了能量转换效率高达5.5%的a-Si太阳能电池[1]。目前制备a-Si膜最常用的是辉光放电法.我们对用此法如何制备具有优良光响应特性的掺氢?...
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