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激光退火的机理

  • 摘要: 近几年来,半导体材料的激光退火引起人们很大兴趣,这是因为较之常规的热退火,激光退火有它独特的优点,即空间上的局域性和时间上的短暂性.离子注入后的半导体都伴有晶格损伤,使用常规的热退火来消除损伤,同时使注入杂质电激活,需要较高温度(~1000°C)和较长时间(~30min)的热处理,这就使表面层遭到沾污,基底材料由于长时间加热而电学参数变坏,而且有时并不能完全消除损伤.激光退火可以克服这些缺点?...

     

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