摘要: 能隙中态密度的分布状况对晶态或非晶态半导体的电学和光学性质影响很大［１］．研究半导体材料能隙中态密度分布的最直接和最简单的方法是测定它们的吸收光谱．但是，当光子能量低于吸收边以后，样品的吸收系数变得很小．加上大多数非晶态半导体材料样品的厚度为微米量级，它们对光的吸收量就更小了，用通常的测量方法很难测出它们的吸收谱［２］．我们利用低温量热原理在波长为０．４—５．２μｍ的范围内直接测定了ａ－Ｓｉ?...