摘要: 硅的中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）已经得到了广泛应用，在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面巳被公认是一个好的方法［１－３］．ＮＴＤ硅的优点是掺杂十分均匀，浓度偏差可在±５％之内，而且它的掺杂精度很高，能够准确地达到所要求的浓度．１９７１年苏联的Ｓｈ．Ｍ．Ｍｉｒｉｓｈｖｉｌｉ等人［４］报道了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂，在这以后，一些作者进一步研究了热中子辐照ＧａＡｓ的原理、光致?...