摘要: 早在本世纪三十年代初期Ｂｒｉｄｇｍａｎ和Ａｌｉｅｎ等人就对晶体的压阻效应做了很多工作．１９５４年Ｃ．Ｓ．Ｓｍｉｔｈ发现了锗和硅的压阻效应．不久，Ｈｅｒｒｉｎｇ和Ｖｏｇｔ等人对半导体的压阻效应进行了理论研究，提出了半导体能带结构的多谷模型，为半导体压阻传感器的出现奠定了理论基础．一、半导体压阻效应１．半导体压阻效应的描述和一切物体一样，当半导体受到外力作用时，其内部就伴随产生了与外力大小相等方?...