摘要: 金属－氧化物－半导体（ＭＯＳ）系统，它不仅作为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）在超大规模集成电路中占有主导地位，而且也是半导体器件、材料和工艺方面的重要研究手段之一．故对它的研究日益发展、深入．本文仅从集成电路的角度出发，着重介绍与ＭＯＳ系统电学特性有关的基础知识，而未涉及工艺制造问题．一、半导体表面空间电荷区１－３］表面势的存在，由于自由载流子数目偏离平衡值，将使表面层中形....