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集成电路中的物理问题讲座——第九讲 光电子与俄歇电子在X射线光刻中的影响

  • 摘要: 自从1972年Spears与Smith1]首先发表了X射线光刻的论文以来,美、日、西德和法国等都将X射线光刻列入超大规模集成电路的光刻工艺之一.美国贝尔电话公司已将X射线光刻机用于中间性生产线,做出了0.30μm的短沟道的MOS器件2]X射线光刻受到重视的原因是:(1)最高分辨率可以做到为50A;(2)光刻的质量较用其它光刻技术好,表现在光刻后光刻胶的剖面图形的高度与宽度之比可达15:1.?...

     

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