摘要: 自从１９７２年Ｓｐｅａｒｓ与Ｓｍｉｔｈ１］首先发表了Ｘ射线光刻的论文以来，美、日、西德和法国等都将Ｘ射线光刻列入超大规模集成电路的光刻工艺之一．美国贝尔电话公司已将Ｘ射线光刻机用于中间性生产线，做出了０．３０μｍ的短沟道的ＭＯＳ器件２］Ｘ射线光刻受到重视的原因是：（１）最高分辨率可以做到为５０Ａ；（２）光刻的质量较用其它光刻技术好，表现在光刻后光刻胶的剖面图形的高度与宽度之比可达１５：１．?...