摘要: 为了提高场效应晶体管的响应速度，在设计中希望采用迁移率高的材料．材料迁移率的大小决定于载流子的散射．一般在高温下，载流子主要被晶格振动所散射，即声子散射；而在低温下电离杂质的散射起主导作用．对于高掺杂的样品，即使降低温度也不能使迁移率提高．掺杂浓度为１０１７－１０１８ｃｍ－３的ｎ型ＧａＡｓ中的电子迁移率大约是３０００—４０００ｃｍ２／Ｖ·ｓ左右．而Ｐ型ＧａＡｓ中的空穴迁移率将更低．掺杂浓度降?...