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半导体多量子阱结构的非线性光学

  • 摘要: 1982年以前,人们对半导体光学非线性的研究都局限于体材料.激子的非线性效应大都局限于低温.1982年以来,由于半导体材料生长技术,特别是分子束外延技术的发展,开始对多量子阱结构(也叫超晶格结构)材料的光学非线性及非线性效应进行研究.研究结果表明,体材料的激子只在低温下才存在(对带宽不太宽的材料),而多量子阱结构的激子在室温下仍然存在.半导体中的很多非线性效应是由于激子的饱和吸收引起折射系数?...

     

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