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二维电子系统

  • 摘要: 一、半导体界面上的二维电子系统五十年代末和六十年代初,硅半导体器件的制造工艺有了很大的突破,制成了金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),其结构见图1.它用p型硅做衬底,表面上生长一层SiO2,其上有铝栅极G.两个重掺杂的n+区分别是源极S及漏极D.如果栅极加上较大的正电压Vg,硅表面附近会积累大量电子,形成与体内导电类型相反的反型层,成为源极及漏极间的导电沟道.反型层中的电子面密?...

     

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