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半导体核探测器载流子有效寿命剖析

  • 摘要: 载流子寿命τ是半导体材料的重要参数之一,它对器件性能有较大影响.就核辐射探测器来说,τ决定了反向漏电流,进而在很大程度上影响其噪声的大小.优良探测器要求原始单晶的寿命τ为五百到数千微秒.大量实践证明,用寿命高而且断面分布均匀的材料制成的探测器,性能优良,成品率和优品率都高.文献[3—6]阐述了有效寿命τef,并提出通过测量电荷收集效率η可以推算出τef值,认为有效寿命仅仅取决于俘获效应,只要?...

     

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