摘要: 如在一种二元的化合物半导体（ＡＢ）晶片上外延一层三元化合物（Ａ_1-xＢ_xＣ）薄膜，则由于衬底与薄膜的点阵参数不同，在界面附近将产生错配应变ε，甚致产生错配位错，并使晶片弯曲．这种应变有时很小，曲率半径Ｒ则往往很大，用一般的实验方法不易测量．然而，Ｘ射线双晶（或三晶）衍射方法对这类应变及弯曲却非常灵敏．根据测得的表面应变值以及平均的曲率半径，还可对组分ｘ值进行定量计算．这些测量不但可以同时在晶片?...