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用双晶衍射法同时测量Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs的弯曲、错配应变和x值

  • 摘要: 如在一种二元的化合物半导体(AB)晶片上外延一层三元化合物(A_1-xB_xC)薄膜,则由于衬底与薄膜的点阵参数不同,在界面附近将产生错配应变ε,甚致产生错配位错,并使晶片弯曲.这种应变有时很小,曲率半径R则往往很大,用一般的实验方法不易测量.然而,X射线双晶(或三晶)衍射方法对这类应变及弯曲却非常灵敏.根据测得的表面应变值以及平均的曲率半径,还可对组分x值进行定量计算.这些测量不但可以同时在晶片?...

     

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