摘要: 一、在宇宙空间实验室生长硅和锑化镓晶体在１９８３年１２月发射的宇宙飞船空间实验室１号中，用区熔方法生长了元素半导体硅（实验序号ＥＳ－３２１）［１－３］和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体锑化镓（实验序号ＥＳ－３２３）［４］．此次晶体生长实验的目的在于：（１）研究在失重的情况下，以区熔方法生长硅或锑化镓晶体的可能性和生长技术上的新问题；（２）研究在失重的情况下，掺杂剂在晶体中的分布，期望得到掺杂剂均匀分布的?...