摘要: 采用光诱导激励化学反应气氛淀积成固态薄膜，是近些年来在国际上发展极为迅速的一种薄膜生长新技术．本文介绍了光－ＣＶＤ技术的基本原理及特性，以及用该技术淀积各种类型金属薄膜、半导体薄膜、绝缘性薄膜以及ш－ｖ族化合物半导体薄膜.介绍了光－ＣＶＤ技术在大规模集成电路、硅器件微加工过程中的重要应用，用光－ＣＶＤ技术在低到～２００℃温度下已成功地制备出～１００ｎｍ厚的薄层外延单晶硅膜．