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激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径

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  • 摘要: 本文简要介绍激光加热基座晶体生长技术的基本原理，主要工艺特点及其在多种高熔点氧化物晶体生长中的应用，尤其是在高Ｔｃ氧化物超导体材料提高临界电流密度（Ｊｃ）方面所取得的重要成果．

     

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