摘要: 三、半导体表面半导体表面研究的现象包括理想表面，表面的弛豫和重构，以及表面吸附等．理想表面是假设晶体断裂后，它的表面原子的排列和晶体内部相同．实际情况往往不是这样，由于在表面上原子所受的力与晶体内部不同，它的运动自由度又较大，因此往往会发生表面原子位移．如果这种位移不破坏晶体平行于表面的平移对称性，则称为弛豫；如果破坏了这种平移对称性，并形成一种新的平移对称性，则称为重构．由于半导体表面的存?...