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减压充氮直拉硅单晶技术

  • 摘要: 硅单晶的生产方法有两种:一是悬浮区熔法(FZ),二是直拉切氏法(CZ).前者硅单晶纯度较高但单晶直径受到一定限制,后者已成为生长大直径硅单晶的主要方法.为保证产品质量,在采用直拉法时,必须使用保护气体在一定压力下生长晶体.氩为惰性气体中较为廉价的一种,因此采用氖保护气拉制硅单晶已成为国际上通行的技术和生产方法.更为廉价的氧、氮一直被视为会起化学反应而未被采用.浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验?...

     

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