摘要: 金刚石薄膜的气相合成及应用研究近年来取得了飞速发展，气相合成金刚石薄膜的ＣＶＤ方法已达２０几种，最大的沉积速度已达到每小时９３０μｍ．硼掺杂金刚石薄膜的空穴载流子浓度已达到１０～（１８）ｃｍ～（－３），电阻率已达到１０～（－２）Ω·ｃｍ，在硅衬底表面实现了金刚石薄膜的选择性生长．金刚石薄膜热沉使半导体锁相列阵激光器的输出功率提高了１０％左右，金刚石薄膜作为刀具涂层使刀具的寿命得到提高，金刚石热敏电阻、发光管、场效应管等器件原型电子器件在实验上已获得成功．