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一种制备金属硅化物的离子束新技术

柳百新, 朱德华, 卢红波

柳百新, 朱德华, 卢红波. 一种制备金属硅化物的离子束新技术[J]. 物理, 1994, 23(2).
引用本文: 柳百新, 朱德华, 卢红波. 一种制备金属硅化物的离子束新技术[J]. 物理, 1994, 23(2).

一种制备金属硅化物的离子束新技术

  • 摘要: 随着目前超大规模集成电路的迅速发展,要求器件尺寸按比例缩小,线宽也要求相应变窄。而多晶硅的薄层电阻极限为30-60/口,因此器件尺寸的进一步减小就被栅极内引线的内线电阻所限制。为此,必须寻找新的合适的替代物以改进电路的速度。对于MOS器件来说,其特性取决于一系列参数,其中以RC时间常数最为重要?...
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出版历程
  • 发布日期:  1994-02-19

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