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红外焦平面技术的重要进展──单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技术

  • 摘要: 由SiGe合金与Si构成的应变层异质结构、量子阱是80年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础、高质量SiGe材料的制备以及低温SiGe器件研制中的几个关键技术。

     

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