摘要: 介绍了近年来新发展起来的几种硅基远红外探测器件，其中包括硅化物／ＧｅｉＳｉ１－ｘ肖特基势垒型探测器、锗硅异质结内光电发射型探测器、锗硅／硅多量子阱型探测器和掺杂阱型探测器，并就这些器件的工作原理及影响其响应率、截止波长和工作温度的因素分别进行了讨论和比较。