摘要: 本文介绍利用分子束外延方法在ＧａＡｓ的某些特殊表面上原位直接生长ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ量子线结构的几种方法，包括采用（３１１）等高指数面、（００１）邻晶面以及（１１０）解理面二次生长，着重讨论量子线结构的形成机理及其光学特性。这些方法能避开目前纳米尺度刻蚀技术的困难，可能成为制备低维结构的有希望的途径。