摘要: 掺杂Ｓｉ材料是一种新型半导体材料，它是利用杂质工程和能带工程的结合来调节半导体的性质的。它的许多物理性质为低维半导体系统的研究开辟了一个新领域，同时正是这些物理特性使得该材料在硅基光电子器件、电子器件研制中具有广阔的应用前景．文章介绍了硅中掺杂方面的研究新进展．