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惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入

    摘要
  • 摘要: 平面薄膜是ICF分解实验的重要靶型.以半导体技术结合重掺杂自截止腐蚀制备厚度为3—4μm的Si平面薄膜,以热蒸发结合脱膜工艺制备Al平面薄膜,两者的表面粗糙度分别为30nm和10nm左右;进一步采用离子束刻蚀在平面薄膜的表面引入网格或条状图形,获得测量成像系统像传递函数的刻蚀膜,控制离子束刻蚀工艺的参数以实现图形的精确转移

     

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