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张德恒, 王卿璞. 新型半导体激光器——ZnO紫外激光器[J]. 物理, 2001, 30(12).
引用本文: 张德恒, 王卿璞. 新型半导体激光器——ZnO紫外激光器[J]. 物理, 2001, 30(12).
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新型半导体激光器——ZnO紫外激光器

    摘要
  • 摘要: 最近人们发现在室温下ZnO薄膜能产生强烈的光受激辐射,这表明此种材料可用于制造紫外光半导体激光器,此种激光器在光信息存贮上有广泛应用.文章介绍了最近几年来用不同方法制备的ZnO薄膜的光受激辐射的研究进展

     

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