摘要: 研究了非线性光学晶体材料KH2PO4(KDP)中不同带电状态的H缺陷的稳定性及其反应.从而以清晰的物理图像描绘了KDP材料暴露在强紫外线或X射线下性能下降的原因.研究发现，对于H间隙原子，当增加一个电子时，H间隙原子与主H原子发生作用，形成间隙H2分子并产生一个H空位，而增加一个空穴时H间隙原子与临近的主O原子形成氢氧键，这两种带电态的H间隙原子均切断KDP材料中形成网络的氢键；对于H空位，增加一个空穴将导致形成"过氧化氢"桥结构.这些结果在原子层次上清楚地解释了实验所建议的缺陷反应机制.