摘要: 综述了用扫描电镜的二次电子像获得掺杂半导体衬度剖析的方法.实验发现掺杂半导体扫描电镜像对杂质浓度的灵敏度可以达到1016cm-3，且空间分辨率高达nm量级，是最有可能发展成为下一代掺杂剖析成像的主流技术.文中还探讨了半导体掺杂衬度的可能的机理，详细介绍了两种主要机理：表面能带弯曲和样品外局域电场的出现.